摘要: <正> 一、引言 近年来,我国在半导体硅(锗)探测器的制作和应用方面越来越普遍。这种器件之所以获得迅速进展,主要是用起来很方便。并且,在性能上与早期在核物理实验中所一直延用的探测器件相比,有其独到之处。如在一定能量范围内分辨率高,脉冲上升时间短和线性非常好,等等。目前国际上对这种器件的研究也很时兴。我们实验室主要制备硅面垒型探测器(磷扩散型器件过去也做过)。N型硅材料是由本所自己制备的。一般材料的电阻率在几百到几千欧姆·厘米之间,位错浓度约为10V厘米~2,载流子寿命约在几十到几百微秒之间,器件的面积一般约为40—80毫米~2,最大的有效面积可达200—300毫米~2。用这种器件测得的分辨率(对于Po~(210)α源)最好的约为0.47—0.57％。空间电荷层厚度可达600微米以上。